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射频晶体管
3SK293(TE85L,F)参考图片

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3SK293(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
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4.1471
10
¥2.7572
27.572
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.12209
1122.09
3,000
¥0.96841
2905.23
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
30 mA
Vds-漏源极击穿电压
12.5 V
增益
22.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
800 MHz
系列
3SK293
类型
RF Small Signal MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,3SK293(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
5:¥2,516.4309
参考库存:16446
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFM906N/HVSON16///REEL 7 Q1 DP
1:¥18.2834
10:¥16.7466
25:¥15.2098
100:¥13.7521
1,000:¥10.2943
参考库存:4852
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:16451
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN
1:¥3,673.9464
2:¥3,371.355
5:¥3,025.575
10:¥2,420.46
25:¥2,334.015
参考库存:16454
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN
1:¥345.78
25:¥307.36
100:¥268.94
250:¥245.888
参考库存:3062
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