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射频晶体管
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STAC2933

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
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1
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799.136
5
¥784.3782
3921.891
10
¥749.1109
7491.109
25
¥724.1379
18103.4475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Id-连续漏极电流
40 A
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
23.5 dB
输出功率
400 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single Common Source
工作频率
30 MHz to 175 MHz
系列
STAC2933
商标
STMicroelectronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PD57006TR-E
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
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100:¥55.3248
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3,000:¥0.72207
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参考库存:11690
1090MP
Microchip / Microsemi
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50:¥825.4198
100:¥795.4522
参考库存:15271
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