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射频晶体管
BFR840L3RHESDE6327XTSA1参考图片

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.068
40.68
100
¥2.486
248.6
1,000
¥1.9097
1909.7
15,000
¥1.4464
21696
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFR840L3
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.25 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2.9 V
集电极连续电流
35 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
75 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
75 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
840L3RHESD BFR BFR84L3RHESDE6327XT E6327 SP000978848
商品其它信息
优势价格，BFR840L3RHESDE6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HFA3127RZ
Renesas / Intersil
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3
1:¥73.9924
10:¥66.8508
50:¥63.7772
100:¥55.3248
参考库存:2252
DME400A
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,452.8119
参考库存:15266
MMBFJ310
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥2.6894
10:¥2.0566
100:¥1.11418
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.72207
9,000:¥0.67574
参考库存:11690
1090MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
50:¥825.4198
100:¥795.4522
参考库存:15271
CGHV60170D
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
暂无价格
参考库存:15274
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