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射频晶体管
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SD56060

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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20
¥988.9308
19778.616
40
¥968.1049
38724.196
100
¥919.6957
91969.57
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
M246
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
148 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
60
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
优势价格，SD56060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D1040UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET
1:¥1,923.9945
10:¥1,698.9324
25:¥1,541.4104
50:¥1,445.7446
参考库存:15772
TPV8100B
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥1,551.2414
10:¥1,423.461
25:¥1,277.465
50:¥1,131.469
参考库存:2279
PTFB092707FH-V1-R250
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥848.0085
参考库存:15777
VRF151
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥423.0833
2:¥411.5573
5:¥400.1782
10:¥388.7313
参考库存:2308
2729GN-270
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
5:¥4,459.7145
参考库存:15782
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