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射频晶体管
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GTVA126001EC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
18 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
10 A
输出功率
600 W
最大漏极/栅极电压
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
H-36248-2
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.2 GHz to 1.4 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，GTVA126001EC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFIC10275NR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFIC10275N/FM14F///REEL 13
1:¥1,780.3828
5:¥1,737.5784
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25:¥1,670.6598
50:¥1,670.6598
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10:¥3.1979
100:¥2.0114
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QPD1014SR
Qorvo
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 15W 50V GaN
1:¥445.672
25:¥391.884
100:¥345.78
200:¥315.044
参考库存:3845
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