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IKW30N60H3

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数量单价合计
1
¥32.9621
32.9621
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥23.052
5763
500
¥20.6677
10333.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60H3FKSA1 IKW3N6H3XK SP000703042
单位重量
6.500 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:38290
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