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晶体管
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2N3442G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 140V 117W NPN
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数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥40.115
401.15
100
¥34.7362
3473.62
200
¥32.9621
6592.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
140 V
集电极—基极电压 VCBO
160 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
5 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
80 kHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N3442
高度
8.51 mm (Max)
长度
39.37 mm
封装
Tray
宽度
26.67 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
117 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.020 g
商品其它信息
优势价格,2N3442G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 1A NPN low VCE sat (BISS) transi
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
5,000:¥0.62263
参考库存:5728
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:7015
晶体管
MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A
1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:5095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
2,000:¥0.46104
参考库存:15344
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:20775
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