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晶体管
AUIRF3805L参考图片

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AUIRF3805L

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms
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库存：4,137(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.8942
30.8942
10
¥26.2047
262.047
100
¥22.7469
2274.69
250
¥21.5943
5398.575
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
190 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
下降时间
87 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
93 ns
典型接通延迟时间
150 ns
零件号别名
SP001522082
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，AUIRF3805L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTD122JU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 4.7K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:28999
FZ2400R12HE4_B9
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IGBT 模块 IGBT 1200V 2400A
1:¥7,081.9586
5:¥6,968.6987
参考库存:29002
DDTC144VE-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:70152
BUK7Y43-60EX
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1,500:¥1.3108
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MACOM
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10:¥1,587.5144
30:¥1,530.3477
参考库存:29010
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