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晶体管
CSD18534Q5AT参考图片

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CSD18534Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V,N-Ch NexFET Pwr MOSFET
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库存:3,965(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6896
66.896
100
¥5.1528
515.28
250
¥5.1528
1288.2
500
¥4.5539
2276.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
9.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
77 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD18534Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
72 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
5.2 ns
商品其它信息
优势价格,CSD18534Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N channl Mosfet
4,000:¥2.825
5,000:¥2.6329
10,000:¥2.5877
25,000:¥2.5312
参考库存:28465
晶体管
MOSFET PowerMESH Zener SuperMESH
1:¥12.2153
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥7.0512
参考库存:4135
D3
晶体管
MOSFET 70 mOhm 650V
1,000:¥16.6788
2,500:¥15.8313
5,000:¥15.2098
参考库存:28470
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Big Chip SELine
4,000:¥4.0906
参考库存:28473
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥665.2084
参考库存:28476
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