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晶体管
TIP121G参考图片

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TIP121G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 5A 80V Bipolar Power NPN
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库存:14,409(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.4522
4.4522
10
¥3.7064
37.064
100
¥2.3843
238.43
1,000
¥1.9097
1909.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
200 uA
Pd-功率耗散
65 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TIP121
封装
Tube
高度
15.75 mm
长度
10.53 mm
宽度
4.83 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,TIP121G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 80A E-Mode GaN
1:¥64.9298
10:¥63.0879
25:¥60.3985
250:¥56.0932
1,000:¥54.4773
参考库存:1669
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥21.5943
10:¥17.8992
100:¥13.8312
500:¥12.1362
1,000:¥10.0683
3,000:¥9.379
参考库存:7197
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1,012.7512
5:¥981.0886
10:¥949.4373
25:¥905.0961
参考库存:1250
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
500:¥12.7577
参考库存:1404
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
参考库存:27213
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