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晶体管
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FDB075N15A-F085

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数量单价合计
1
¥31.8886
31.8886
10
¥27.0522
270.522
100
¥23.4362
2343.62
250
¥22.2836
5570.9
800
¥16.8257
13460.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
95 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
333 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB075N15A_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
76 ns
典型接通延迟时间
33 ns
零件号别名
FDB075N15A_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM2004NE
Rectron
晶体管
MOSFET SOT-23-6L MOSFET
6,000:¥0.71416
9,000:¥0.65314
24,000:¥0.64523
参考库存:37767
QPD1017
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:37770
JAN2N5152U3
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥2,096.5794
参考库存:37773
ALD910016SAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.60V
50:¥21.6734
100:¥20.2835
250:¥18.2834
500:¥16.4415
参考库存:37776
2N333T2
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥425.5354
参考库存:37779
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