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晶体管
TK56E12N1,S1X参考图片

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TK56E12N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
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库存：3,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.2888
13.2888
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2207
3610.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
112 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
Pd-功率耗散
168 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK56E12N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK56E12N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDMS3610S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET Gaming/DT/Notebook NVDC/Server
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.6275
500:¥6.7348
3,000:¥4.7234
9,000:查看
参考库存:4847
STF6N62K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
参考库存:9083
NTLGD3502NT2G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DFN 20V 4.6A 3X3 60M
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.2093
500:¥4.5991
1,000:¥3.6386
3,000:¥3.2205
参考库存:5025
SI6913DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
1:¥10.3734
10:¥8.5315
3,000:¥8.5315
参考库存:11088
SI7149DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 50A 69W 5.2mohm @ 10V
1:¥12.1362
10:¥10.0683
100:¥7.8422
500:¥6.8591
3,000:¥6.8591
参考库存:7483
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