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晶体管
TK56E12N1,S1X参考图片

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TK56E12N1,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 120V 112A 168W UMOSVIII 4200pF 69nC
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数量单价合计
1
¥13.2888
13.2888
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2264
822.64
500
¥7.2207
3610.35
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Id-连续漏极电流
112 A
Rds On-漏源导通电阻
5.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
69 nC
Pd-功率耗散
168 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK56E12N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK56E12N1,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP80R1K2P7XKSA1
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1:¥10.0683
10:¥8.6106
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1:¥3.3787
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
3,000:¥0.72998
参考库存:22718
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