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晶体管
2SD2153T100W参考图片

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2SD2153T100W

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN
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库存:3,396(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9776
39.776
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8758
1875.8
2,000
¥1.5933
3186.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
110 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SD2153
直流电流增益 hFE 最大值
1200 at 500 mA, 6 V
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1200
Pd-功率耗散
2 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2SD2153T100W的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Quad N-Channel Array
1:¥36.6572
10:¥32.7361
25:¥29.4252
50:¥28.6568
参考库存:1258
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥6.8365
10:¥5.7065
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
5,000:¥2.486
参考库存:21333
晶体管
IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9721
1,000:¥5.5144
2,500:¥4.8816
参考库存:2896
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.81473
50,000:¥0.78422
100,000:¥0.75258
参考库存:31802
晶体管
MOSFET Automotive-grade P-channel -30 V, 0.027 Ohm typ., -12 A, STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥6.6105
10:¥5.5935
100:¥4.3053
500:¥3.8081
2,500:¥2.6555
10,000:查看
参考库存:2464
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