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晶体管
STGWT20H65FB参考图片

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STGWT20H65FB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
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库存:5,503(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
168 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWT20H65FB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
300
子类别
IGBTs
单位重量
6.756 g
商品其它信息
优势价格,STGWT20H65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.6052
500:¥11.9102
1,000:¥9.831
参考库存:5085
晶体管
MOSFET NMOS PWR56 80V 4.5 MOHM
1:¥12.1362
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2207
1,000:¥5.989
3,000:¥5.5709
参考库存:10082
晶体管
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:6987
晶体管
MOSFET 200V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
1:¥8.3733
10:¥6.9043
100:¥5.2997
500:¥4.5539
3,000:¥3.3448
6,000:查看
参考库存:10968
晶体管
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
1:¥7.8422
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:8302
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