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晶体管
NGB8207ABNT4G参考图片

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NGB8207ABNT4G

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 365V 20A IGBT IGNITION
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库存:3,522(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.1474
101.474
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8365
3418.25
800
¥6.0003
4800.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
365 V
栅极/发射极最大电压
15 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
165 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
NGB8207AB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Littelfuse
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,NGB8207ABNT4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:23489
晶体管
达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN PBFR
1:¥3.842
10:¥2.486
100:¥1.06785
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.62263
参考库存:12873
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥10.1474
10:¥9.9892
25:¥8.4524
100:¥7.6049
2,000:¥5.2997
4,000:查看
参考库存:3454
晶体管
MOSFET 60V N-Chnl UMOS
1:¥5.4579
10:¥4.5539
100:¥2.938
1,000:¥2.3504
参考库存:16071
晶体管
MOSFET P-Chnl 100V
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:5761
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