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晶体管
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IGW30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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库存：3,736(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.815
28.815
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.1366
5034.15
500
¥18.0574
9028.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW30N60TFKSA1 IGW3N6TXK SP000054925
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IGW30N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TIP127-BP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -100V -5A 40W
5,000:¥3.7629
参考库存:42864
BC860BWH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:42867
BCR183SH6433XTMA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTORS
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:42870
BC846CW RFG
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:42873
IFN3958
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel Dual
82:¥87.4394
100:¥80.456
250:¥73.3822
500:¥68.5458
参考库存:42876
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