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晶体管
TK10E60W,S1VX参考图片

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TK10E60W,S1VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
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数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥17.289
172.89
100
¥15.8313
1583.13
250
¥14.2945
3573.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
9.7 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK10E60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK10E60W,S1VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MIC94050YM4-TR
Microchip Technology / Micrel
晶体管
MOSFET 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
1:¥3.5369
10:¥3.503
25:¥3.0058
100:¥2.6894
3,000:¥2.6894
参考库存:7555
DMN65D8L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
1:¥1.2317
10:¥1.13
100:¥0.40002
1,000:¥0.26894
3,000:¥0.20792
参考库存:370675
FDB7030BL
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level
1:¥8.8366
10:¥7.5484
100:¥5.7969
500:¥5.1189
800:¥4.0454
参考库存:7905
FDMS8670S
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.5823
500:¥6.7009
1,000:¥5.2997
3,000:¥5.2997
参考库存:7326
DMN6140L-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:206835
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