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晶体管
MMSTA56Q-7-F参考图片

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MMSTA56Q-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.9097
19.097
100
¥0.79891
79.891
1,000
¥0.54579
545.79
3,000
¥0.42262
1267.86
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 80 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 4 V
集电极—射极饱和电压
- 0.25 V
增益带宽产品fT
50 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMSTA56Q
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MMSTA56Q-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
2,500:¥2.6555
10,000:¥2.5538
25,000:¥2.486
参考库存:32078
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
25:¥5,811.4092
参考库存:32081
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:32084
晶体管
MOSFET 950 V CoolMOS P7
2,500:¥8.2264
5,000:¥7.91
10,000:¥7.6614
参考库存:32087
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H141W24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥466.577
5:¥456.1245
10:¥438.2931
25:¥424.1568
参考库存:32090
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