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晶体管
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2SAR522EBTL

  • ROHM Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
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1
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10
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100
¥0.3842
38.42
1,000
¥0.26103
261.03
3,000
¥0.20001
600.03
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-416FL-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 20 V
集电极—基极电压 VCBO
- 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 120 mV
最大直流电集电极电流
- 200 mA
增益带宽产品fT
350 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SAR522EB
直流电流增益 hFE 最大值
560
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 200 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
2SAR522EB
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,2SAR522EBTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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