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晶体管
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BSM15GD120DN2E3224

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库存:2,652(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥499.686
499.686
5
¥488.5442
2442.721
10
¥469.4133
4694.133
25
¥454.2826
11357.065
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
145 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 SP000100360
商品其它信息
优势价格,BSM15GD120DN2E3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:1444
晶体管
达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN
1:¥6.9156
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
参考库存:2160
晶体管
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥34.804
10:¥27.9675
100:¥25.5154
250:¥24.4306
参考库存:27410
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:6086
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:7124
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