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晶体管
IGW25T120参考图片

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IGW25T120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 1200V 50A
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库存:2,242(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥36.4199
364.199
100
¥31.5835
3158.35
250
¥29.9676
7491.9
500
¥26.894
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
190 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW25T120FKSA1 IGW25T12XK SP000013887
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW25T120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
4,000:¥4.1923
8,000:查看
参考库存:1788
晶体管
MOSFET 1.5V Drive Nch MOSFET
1:¥4.6104
10:¥3.8081
100:¥2.4634
1,000:¥1.9662
3,000:¥1.6724
参考库存:1389
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.7521
500:¥12.0684
1,000:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:7127
晶体管
MOSFET Power MOSFET
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.7233
参考库存:3904
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.808
500:¥1.6159
3,000:¥1.01474
9,000:查看
参考库存:4131
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