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晶体管
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TTC008(Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
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数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.2997
52.997
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
285 V
集电极—基极电压 VCBO
600 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
600 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最大工作温度
+ 150 C
系列
TTC008
直流电流增益 hFE 最大值
200
封装
Bulk
商标
Toshiba
集电极连续电流
1.5 A
Pd-功率耗散
1.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
200
子类别
Transistors
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TTC008(Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.3052
10:¥1.5707
100:¥0.66105
1,000:¥0.44522
2,000:¥0.35369
参考库存:13536
晶体管
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1:¥153.7591
5:¥146.8435
10:¥142.3122
25:¥130.7071
参考库存:1974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 400V 15W NPN
1:¥4.6895
10:¥3.8307
100:¥2.3391
1,000:¥1.808
2,500:¥1.5481
参考库存:9851
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.5369
10:¥2.26
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
2,000:¥0.56839
参考库存:12910
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:17213
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