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晶体管
TSM2537CQ RFG参考图片

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TSM2537CQ RFG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET Complementary N-Ch, 20V, 11.6A
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库存：13,730(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3787
33.787
100
¥2.5312
253.12
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.2769
3830.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDFN22-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
11.6 A, 9 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 48 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
9.1 nC, 9.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.25 W, 6.25 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
N- and P-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
28 S, 15 S
下降时间
30 ns, 68 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
41 ns, 34 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 69 ns
典型接通延迟时间
8 ns, 10 ns
商品其它信息
优势价格，TSM2537CQ RFG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMP2039UFDE4-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥4.1471
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:9474
STGIPS30C60
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM IPM 3-Phase 30A 600V IGBT
1:¥186.8003
5:¥184.8793
10:¥172.2798
25:¥164.5958
参考库存:3554
IKW25N120H3FKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥49.72
10:¥44.9514
25:¥42.8722
100:¥37.1883
参考库存:3954
FDS86242
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.3843
参考库存:3531
2DA1774S-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6482
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