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晶体管
TK11A45D(STA4,Q,M)参考图片

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TK11A45D(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 10A 40V 25W 410pF 0.029
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库存：1,153(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5996
14.5996
10
¥11.752
117.52
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2264
4113.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
450 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK11A45D
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
0.8 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
60 ns
商品其它信息
优势价格，TK11A45D(STA4,Q,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN10LFTA
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 3A
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:19098
2N6034G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
参考库存:14466
DD750S65K3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 750A 6500V
1:¥17,193.1082
5:¥16,918.247
参考库存:3919
IRLTS6342TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:36541
TK65G10N1,RQ
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
1:¥21.4361
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
1,000:¥10.0683
参考库存:5039
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