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晶体管
APT200GN60J参考图片

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APT200GN60J

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:4,403(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥257.3349
257.3349
5
¥245.8089
1229.0445
10
¥238.1249
2381.249
25
¥218.768
5469.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
283 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
682 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT200GN60J的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1414
1,000:¥2.5086
1,500:¥2.5086
参考库存:1881
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.9043
3,000:¥6.9043
参考库存:10240
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2A 35V Low VCEsat
1:¥3.842
10:¥2.8815
100:¥1.5594
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.00683
参考库存:2583
晶体管
MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
1:¥12.8368
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.0173
2,500:¥7.0173
参考库存:8425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Pwr Darlington
1:¥18.6676
10:¥16.5997
100:¥13.2888
500:¥11.6842
1,000:¥9.6841
参考库存:2342
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