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晶体管

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SBC817-40LT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 SS GP XSTR SPCL TR
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库存:26,502(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.0792
2.0792
10
¥1.3786
13.786
100
¥0.5763
57.63
1,000
¥0.39211
392.11
10,000
¥0.26103
2610.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
250
最大工作频率
100 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极连续电流
0.5 A
Pd-功率耗散
300 mW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC817-40L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
50 V
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SBC817-40LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:6831
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
1,000:¥7.3789
参考库存:5418
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥14.4414
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:4634
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥54.5564
10:¥49.3358
25:¥47.0306
100:¥40.8834
参考库存:4942
晶体管
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥16.2946
250:¥15.4471
500:¥13.8312
参考库存:5030
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