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晶体管
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FCX591TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
2,000
¥1.1752
2350.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.6 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FCX59
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 1 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，FCX591TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6991DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 4.2A 0.83W
3,000:¥6.328
6,000:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:30022
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
2,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9606
参考库存:30025
SIRA52DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000:¥4.6217
参考库存:30028
TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 121A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥6.4297
10,000:¥6.3054
参考库存:30031
J110A
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 25ohm 50mA 360mW 3.27mW
323:¥22.0576
500:¥19.8202
1,000:¥16.7466
2,500:¥15.9104
参考库存:30034
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