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晶体管
IPN50R650CEATMA1参考图片

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IPN50R650CEATMA1

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库存:4,861(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.6781
267.81
1,000
¥2.147
2147
3,000
¥2.147
6441
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
13 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPN50R650CE SP001434880
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,IPN50R650CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary power transistors
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
1,000:¥5.7969
2,500:¥5.4014
参考库存:2680
晶体管
MOSFET Mosfet3.0ohmsTrench9 AEC-Q101 qualified
1:¥8.5315
10:¥7.232
100:¥5.5596
500:¥4.9155
参考库存:13712
晶体管
MOSFET N-Chnl 250V
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.825
参考库存:12189
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8704
10,000:查看
参考库存:2691
晶体管
MOSFET Dual PT4 N 20/8V
1:¥4.9946
10:¥4.1471
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:19418
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