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晶体管
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APT43GA90BD30

  • Microsemi
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  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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数量单价合计
1
¥72.2296
72.2296
10
¥65.0089
650.089
25
¥59.1668
1479.17
50
¥55.1666
2758.33
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
337 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
78 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2432AUB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥1,742.8894
参考库存:36738
JAN2N5339
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥99.1236
250:¥90.3661
500:¥84.524
1,000:¥77.5293
参考库存:36741
STI270N4F3
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晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:2779
STB21N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
1:¥40.567
10:¥34.4198
100:¥29.8885
250:¥28.3517
1,000:¥21.4361
2,000:查看
参考库存:2781
JANS2N2219
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥630.3931
100:¥616.7201
参考库存:36748
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