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晶体管
NTK3139PT1G参考图片

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NTK3139PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4
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库存:60,585(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2318
3.2318
10
¥2.0792
20.792
100
¥0.89157
89.157
1,000
¥0.68365
683.65
4,000
¥0.52206
2088.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-723-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
780 mA
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
310 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTK3139P
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
0.8 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.2 S
下降时间
5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.7 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
优势价格,NTK3139PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench
1:¥11.30
10:¥9.605
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
2,500:¥5.1302
参考库存:5847
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 4A 80V 40W NPN
1:¥5.1528
10:¥4.2149
100:¥2.7233
1,000:¥2.1809
参考库存:11862
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN
1:¥1,386.8038
25:¥1,251.5654
参考库存:3883
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) JFET N-Ch
1:¥4.7686
10:¥4.068
100:¥2.5312
1,000:¥1.921
2,500:¥1.695
参考库存:11278
晶体管
MOSFET 300V 25Ohm
1:¥4.9155
10:¥4.8364
25:¥4.1132
100:¥3.7177
3,000:¥2.3617
9,000:查看
参考库存:12413
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