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晶体管
NVJS4151PT1G参考图片

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NVJS4151PT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 20V 4.2A 60MOHM PFET
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库存:8,970(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.599
25.99
100
¥1.582
158.2
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.04525
3135.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
4.2 us
产品类型
MOSFET
上升时间
1.7 us
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
2.7 us
典型接通延迟时间
850 ns
单位重量
7.500 mg
商品其它信息
优势价格,NVJS4151PT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2433
2,500:¥5.0624
10,000:查看
参考库存:19818
晶体管
MOSFET Auto Q101 300V SGL N-CH HEXFET
1:¥45.4147
10:¥38.646
100:¥33.5045
250:¥31.7304
参考库存:3027
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT PNP NPN 100mA -50V
1:¥3.3787
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
3,000:¥0.47686
参考库存:5199
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.6832
参考库存:2641
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC75 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.9154
10:¥1.9549
100:¥0.82264
1,000:¥0.56048
3,000:¥0.43844
参考库存:4012
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