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晶体管
SIHA22N60AEL-GE3参考图片

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SIHA22N60AEL-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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数量单价合计
1
¥30.1258
30.1258
10
¥24.8939
248.939
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.8993
4974.825
500
¥17.8314
8915.7
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
41 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
EL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
28 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
86 ns
典型接通延迟时间
27 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM6968DCA
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