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晶体管
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FDC5661N-F085

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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1244
212.44
1,000
¥1.6498
1649.8
3,000
¥1.4012
4203.6
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SSOT-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
UltraFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
FDC5661N_F085
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power Trench MOSFET
宽度
1.6 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
3.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19.3 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns
零件号别名
FDC5661N_F085
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，FDC5661N-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A2G22S190-01SR3
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2G22S190-01S/CFM2F///REEL 13 Q1 NDP
250:¥726.8273
参考库存:31011
2N5457
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晶体管
JFET N-Ch 25Vds JFET 25Vgs 10mA 310mW
1:¥10.0683
10:¥8.2264
100:¥6.8591
500:¥5.2997
参考库存:7138
6MS16017P43W40382
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晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:31016
NVMFS5C430NWFAFT3G
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晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥5.0059
10,000:¥4.8138
参考库存:31019
CMLDM7002A
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:31022
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