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晶体管
IPA60R650CEXKSA1参考图片

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IPA60R650CEXKSA1

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库存:4,440(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.5653
65.653
100
¥5.0511
505.11
500
¥4.4635
2231.75
1,000
¥3.5143
3514.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20.5 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPA60R650CE SP001276044
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格,IPA60R650CEXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥14.3736
10:¥12.2153
100:¥9.7632
500:¥8.5315
1,000:¥7.1077
参考库存:2388
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V
1:¥1.1526
10:¥0.9379
100:¥0.32996
1,000:¥0.23052
3,000:¥0.1695
参考库存:56492
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥34.4198
10:¥29.1992
100:¥25.3572
250:¥24.0464
参考库存:2296
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
3,000:¥0.46104
参考库存:50853
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 160V
1:¥4.1471
10:¥2.3278
100:¥1.2543
500:¥0.99892
3,000:¥0.58421
9,000:查看
参考库存:2550
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