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晶体管
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IRLB8314PBF

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库存：3,064(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.4353
54.353
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
1,000
¥2.9154
2915.4
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
171 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
307 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
142 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
SP001572766
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IRLB8314PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPI80N04S4-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5314
500:¥5.7743
参考库存:1777
FS75R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 130A
1:¥1,133.9324
5:¥1,111.6488
10:¥1,059.8496
25:¥1,037.566
参考库存:1555
FP10R12W1T4_B29
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥293.8339
5:¥290.7603
10:¥271.0192
25:¥258.8717
参考库存:27874
APT64GA90B2D30
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥97.3608
10:¥88.5242
25:¥81.8346
50:¥77.4502
参考库存:1561
MUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.147
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:45307
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