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晶体管
IGB10N60TATMA1参考图片

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IGB10N60TATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
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库存：2,491(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0851
3542.55
1,000
¥5.876
5876
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
24 A
Pd-功率耗散
110 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB10N60T IGB1N6TXT SP000456678
单位重量
1.430 g
商品其它信息
优势价格，IGB10N60TATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3016LFDE-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
1:¥3.1527
10:¥2.3956
100:¥1.2995
1,000:¥0.97632
3,000:¥0.84524
9,000:¥0.791
参考库存:8460
SI7972DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥8.5315
10:¥7.0625
100:¥5.4127
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
3,000:¥3.4352
参考库存:7132
FF150R17KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 150A 1700V
1:¥887.8071
5:¥871.5238
10:¥832.2563
25:¥804.5148
参考库存:1215
BSS138K-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
1:¥2.2261
10:¥1.5481
100:¥0.64523
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:61191
FDC8878
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:12049
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