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晶体管
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IMT18T110

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 12V 0.5A 6PIN
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
260 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 10 mA, 2 V
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V
Pd-功率耗散
300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
IMT18
商品其它信息
优势价格，IMT18T110的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSS40200UW6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) WDFN6 2*2 LOW VCE (SAT) TR
3,000:¥2.1357
9,000:¥2.0566
24,000:¥1.9775
45,000:¥1.9436
参考库存:17613
DMT3006LFVQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.3391
参考库存:33468
PDTA123JM,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
10,000:¥0.23052
20,000:¥0.2147
50,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:33471
SK8403160L
Panasonic
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm
3,000:¥3.7968
参考库存:33474
FF300R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A
10:¥1,094.97
30:¥1,071.9971
参考库存:33477
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