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晶体管

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BSM10GD120DN2E3224

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库存:45,310(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥443.2877
443.2877
5
¥433.3776
2166.888
10
¥416.3937
4163.937
25
¥403.0258
10075.645
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
Pd-功率耗散
80 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 SP000100368
商品其它信息
优势价格,BSM10GD120DN2E3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 650V HEXFET MOSFET
1:¥22.0576
10:¥18.2834
100:¥15.0629
250:¥14.5996
500:¥13.0628
参考库存:2461
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET
1:¥19.436
10:¥16.5206
100:¥13.221
500:¥11.526
800:¥9.5259
2,400:¥9.4468
参考库存:1911
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥11.6842
10:¥9.9101
100:¥7.6049
500:¥6.7235
800:¥5.311
参考库存:5434
晶体管
MOSFET 250V N-Chan MOSFET
1:¥17.8314
10:¥15.142
100:¥12.1362
500:¥10.5994
参考库存:3370
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
1:¥6.4523
10:¥5.311
100:¥3.4239
1,000:¥2.7459
1,500:¥2.7459
参考库存:5562
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