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晶体管
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MMBTA13LT3G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 30V
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库存：31,252(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.5368
1.5368
10
¥1.3673
13.673
100
¥0.48364
48.364
1,000
¥0.32318
323.18
10,000
¥0.2147
2147
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
最大直流电集电极电流
0.3 A
最大集电极截止电流
0.1 uA
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23 (Pb-Free)
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBTA13L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
300 mAdc
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000, 10000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，MMBTA13LT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
参考库存:27724
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1,000:¥15.2889
参考库存:27727
TSM60NB190CI C0G
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晶体管
MOSFET 600V, 18A, Single N- N-Chan Power MOSFET
4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
参考库存:27730
RSD050N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-RD3L050SNTL1
2,500:¥1.7741
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
50,000:¥1.6159
参考库存:27733
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:27736
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