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晶体管
APT30GT60BRG参考图片

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APT30GT60BRG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency - Single
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库存:1,738(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥61.472
61.472
10
¥55.3248
553.248
25
¥50.4093
1260.2325
100
¥45.4938
4549.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
64 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
64 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
64 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
Thunderbolt IGBT
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,APT30GT60BRG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:33319
晶体管
MOSFET 600V 2.4A N-Channel Q-FET
1:¥6.7574
10:¥5.7743
100:¥4.4296
500:¥3.9098
1,000:¥3.0849
2,500:¥2.9493
参考库存:8137
晶体管
MOSFET -30V -3A 115 OHM PoserTrench MOSFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6159
参考库存:4910
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.3391
1,000:¥1.8758
5,000:¥1.8758
参考库存:6445
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
1,000:¥14.2945
2,000:查看
参考库存:2229
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