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晶体管
APT64GA90LD30参考图片

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APT64GA90LD30

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
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库存:1,451(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥95.6658
95.6658
10
¥86.9874
869.874
25
¥80.456
2011.4
50
¥76.0716
3803.58
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-264-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
117 A
Pd-功率耗散
500 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
117 A
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
20.5 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
117 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8
单位重量
10.600 g
商品其它信息
优势价格,APT64GA90LD30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.8363
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.1413
参考库存:4953
晶体管
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥5.989
10:¥4.8025
100:¥3.6386
500:¥3.0171
1,000:¥2.4182
2,500:¥2.1809
参考库存:3969
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥104.8075
10:¥96.3551
25:¥92.3662
100:¥81.3713
参考库存:3123
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3pin(2+Tab)
1:¥17.1308
10:¥14.5205
100:¥11.6842
500:¥10.2152
800:¥8.4524
参考库存:7461
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:29971
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