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晶体管
2N6036G参考图片

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2N6036G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
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库存:4,555(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.1584
41.584
100
¥2.6781
267.81
1,000
¥2.147
2147
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6036
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,2N6036G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥360.6847
5:¥349.7802
10:¥339.5537
25:¥318.3436
参考库存:2159
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥144.1541
10:¥131.0122
25:¥121.249
50:¥114.6498
参考库存:2145
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
1:¥170.4266
5:¥168.6638
10:¥157.2169
25:¥150.1431
参考库存:2279
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4354
1,000:¥6.1585
参考库存:3017
晶体管
MOSFET Automotive-grade dual N-channel 60 V, 27 mOhm typ., 20 A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package
1:¥7.7631
10:¥6.5653
100:¥5.0398
500:¥4.4522
3,000:¥3.1188
9,000:查看
参考库存:4784
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