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晶体管
2N6036G参考图片

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2N6036G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
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库存:4,555(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.0737
5.0737
10
¥4.1584
41.584
100
¥2.6781
267.81
1,000
¥2.147
2147
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
40 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-225-3
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6036
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
15000
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 500, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,2N6036G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 LOW POWER ECONO
1:¥814.9673
5:¥799.9835
10:¥763.9478
25:¥738.5115
参考库存:3640
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥22.2045
10:¥18.4416
100:¥14.2945
500:¥12.5204
3,000:¥9.605
6,000:查看
参考库存:4851
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO247
1:¥47.3357
10:¥40.2619
100:¥34.8831
250:¥33.0412
参考库存:4129
晶体管
MOSFET Dual 30V Vds 20V Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥8.3733
10:¥6.893
100:¥5.2884
500:¥4.5539
3,000:¥4.5539
参考库存:5866
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_55/60V
1:¥11.9893
10:¥10.2152
100:¥8.1473
500:¥7.119
1,000:¥5.8986
参考库存:4605
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