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FGA50S110P

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数量单价合计
1
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22.3627
10
¥18.984
189.84
100
¥16.4415
1644.15
250
¥15.594
3898.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
1100 V
集电极—射极饱和电压
2.7 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
300 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA50S110P
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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