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晶体管
APT200GN60JDQ4参考图片

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APT200GN60JDQ4

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
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数量单价合计
1
¥284.534
284.534
5
¥271.7876
1358.938
10
¥263.2561
2632.561
25
¥241.8878
6047.195
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
283 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
682 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
宽度
25.4 mm
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
商品其它信息
优势价格,APT200GN60JDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V 5.5A
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
参考库存:3589
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥270.635
5:¥260.0243
10:¥250.2724
25:¥229.9776
参考库存:3594
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:11583
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 100mA PNP SILCON
1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
参考库存:48063
晶体管
达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array
1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.2883
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.3843
参考库存:4959
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