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晶体管
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FGA40T65SHD

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库存:4,140(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.883
32.883
10
¥27.9675
279.675
100
¥24.2837
2428.37
250
¥22.9729
5743.225
500
¥20.6677
10333.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA40T65SHD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA40T65SHD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
2,000:¥5.5257
4,000:¥4.9042
10,000:¥4.7234
参考库存:30788
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:30791
晶体管
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
5,000:¥2.2374
10,000:¥2.147
25,000:¥2.0679
参考库存:30794
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,857.833
参考库存:30797
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:30800
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