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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	1 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2314
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	50
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

优势价格，RN2314(TE85L,F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SQP25N15-52_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N Ch 150Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified	1:¥17.515 10:¥14.5996 100:¥11.30 500:¥9.9101	参考库存:3593
FS450R12OE4	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 450A 1200V	1:¥3,830.7791 5:¥3,599.954	参考库存:3105
SIS322DNT-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S	1:¥4.8364 10:¥3.9211 100:¥2.9832 500:¥2.4634 1,000:¥1.9662 3,000:¥1.7854	参考库存:11848
STGWT30V60DF	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT	1:¥27.2782 10:¥23.2102 100:¥20.0575 250:¥19.0518	参考库存:3705
MCH6544-TL-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2.5/3.3V 4:1 DIFF MUX	1:¥3.2318 10:¥2.6329 100:¥1.6159 1,000:¥1.243 3,000:¥1.05994	参考库存:7572