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晶体管
2SC5354-1(F)参考图片

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2SC5354-1(F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 800V 5A
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数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥29.4252
294.252
100
¥26.8149
2681.49
250
¥24.2046
6051.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-N-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
800 V
集电极—基极电压 VCBO
900 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5354
直流电流增益 hFE 最大值
60
商标
Toshiba
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格,2SC5354-1(F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 356A 117W 9.3mOhms
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
1,500:¥3.2318
参考库存:16881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Zetex PNP Med. Power Transistor
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:4883
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.7631
500:¥6.8026
1,000:¥5.6274
参考库存:3211
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
1:¥74.919
10:¥67.6983
25:¥64.5456
100:¥56.0141
参考库存:2469
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1978
参考库存:3813
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