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晶体管
2SC5354-1(F)参考图片

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2SC5354-1(F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 800V 5A
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数量单价合计
1
¥36.6572
36.6572
10
¥29.4252
294.252
100
¥26.8149
2681.49
250
¥24.2046
6051.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3P-N-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
800 V
集电极—基极电压 VCBO
900 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
5 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5354
直流电流增益 hFE 最大值
60
商标
Toshiba
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
100 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
5.500 g
商品其它信息
优势价格,2SC5354-1(F)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:28057
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - DIAP IGBT
暂无价格
参考库存:28060
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 900W 100V RF Mosfet in STAC pack
80:¥724.1379
参考库存:28063
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥6.667
6,000:¥6.4184
9,000:¥6.1698
参考库存:28066
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 225A
4:¥3,503.7458
8:¥3,292.594
参考库存:28069
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