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晶体管

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2SA1036KT146Q

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.147
21.47
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.87575
875.75
3,000
¥0.75258
2257.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SA1036K
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
Reel
宽度
1.6 mm
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
- 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,2SA1036KT146Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 1.2V DRIVE NCH MOSFET
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
8,000:¥0.32996
24,000:查看
参考库存:77450
晶体管
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8591
1,000:¥5.6839
参考库存:5238
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.9891
500:¥7.0512
1,000:¥5.8421
参考库存:6089
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
1:¥2,881.50
25:¥2,600.5707
参考库存:2539
晶体管
MOSFET 250V 3.1A 2.1Ohm P-Channel
1:¥6.4523
10:¥5.3788
100:¥3.4691
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.486
参考库存:6289
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