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晶体管
SQM50N04-4M1_GE3参考图片

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SQM50N04-4M1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 50A 150W AEC-Q101 Qualified
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库存:4,398(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥16.9839
169.839
100
¥13.1419
1314.19
500
¥11.526
5763
800
¥9.5259
7620.72
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
105 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
200 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SQM50N04-4M1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥312.7388
2:¥304.2073
5:¥295.834
10:¥287.3816
参考库存:3943
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
参考库存:4492
晶体管
JFET P-Channel Transistor General Purpose
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.68365
参考库存:5792
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TO92 PNP 2W A/P
1:¥2.3052
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
2,000:¥0.34578
参考库存:14222
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 45V
1:¥1.3786
10:¥1.2091
100:¥0.43053
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.22261
参考库存:13475
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