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晶体管
TK31A60W,S4VX参考图片

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TK31A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
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数量单价合计
1
¥57.4718
57.4718
10
¥51.7088
517.088
50
¥47.0984
2354.92
100
¥42.5671
4256.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK31A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK31A60W,S4VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC4672T100Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 3A
1:¥4.7686
10:¥3.9324
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥1.7176
参考库存:5721
DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:7595
STD46P4LLF6
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
2,500:¥3.6838
10,000:查看
参考库存:9076
SH8K4TB1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.3902
2,500:¥5.7065
5,000:查看
参考库存:42614
IPB65R065C7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 145A D2PAK-2
暂无价格
参考库存:42617
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