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晶体管
TK31A60W,S4VX参考图片

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TK31A60W,S4VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC
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库存:3,695(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥57.4718
57.4718
10
¥51.7088
517.088
50
¥47.0984
2354.92
100
¥42.5671
4256.71
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
73 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK31A60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
70 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK31A60W,S4VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 800A
1:¥7,250.08
5:¥7,134.2098
参考库存:1832
晶体管
MOSFET 20a 60V 0.043 Ohm Logic Level N-Ch
1:¥8.8366
10:¥7.5032
100:¥5.763
500:¥5.0963
2,500:¥3.5708
10,000:查看
参考库存:4572
晶体管
MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.9212
10:¥4.9494
100:¥3.1979
1,000:¥2.5538
2,500:¥2.2826
参考库存:6773
晶体管
MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,500:¥1.3334
参考库存:7903
晶体管
MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.3504
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.5933
参考库存:13518
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